[MOSFET-1] SIZF906BDT-T1-GE3: 30V, 60A, 하프 브리지

SIZF906BDT-T1-GE3은 Vishay Siliconix에서 출시한 듀얼 N채널 30 V 전력 MOSFET입니다. 하나의 PowerPAIR® 6 × 5F 패키지(6 mm × 5 mm) 안에 상측(제어용)과 하측(동기용) MOSFET이 하프 브리지 구조로 내부 배선되어 있어, 동기식 벅 컨버터나 모터 구동 회로를 단일 부품으로 구성할 수 있습니다. TrenchFET® Gen IV 기술 기반의 극저 도통 저항과 하측 내장 쇼트키 다이오드가 특징입니다.

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주요 사양

항목 채널 1 (상측) 채널 2 (하측)

드레인-소스 전압 (VDS)	30 V	30 V
연속 드레인 전류 (TC = 25 °C)	60 A	60 A
연속 드레인 전류 (TA = 25 °C)	27 A	52 A
도통 저항 RDS(on) (VGS = 10 V)	3.80 mΩ 이하 (대표 3.00)	1.17 mΩ 이하 (대표 0.90)
도통 저항 RDS(on) (VGS = 4.5 V)	5.30 mΩ 이하 (대표 4.00)	1.58 mΩ 이하 (대표 1.20)
총 게이트 전하 Qg (VGS = 4.5 V)	11 nC (대표)	46 nC (대표)
게이트-드레인 전하 Qgd	1.3 nC	7.2 nC
입력 커패시턴스 Ciss	2,000 pF	8,200 pF
최대 소비 전력 (TC = 25 °C)	38 W	83 W
본체 다이오드	일반 PN 접합	쇼트키 다이오드 내장
접합 온도 범위	-55 °C ~ +150 °C	-55 °C ~ +150 °C

공통 항목 사양

제조사	Vishay Siliconix
부품 번호	SIZF906BDT-T1-GE3
채널 구성	듀얼 N채널 (하프 브리지 내부 배선)
기술	TrenchFET® Gen IV
게이트-소스 전압 (VGS)	+20 V / -16 V
패키지	PowerPAIR® 6 × 5F (8핀, 6 mm × 5 mm)
RoHS	준수, 무연·무할로겐

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주요 특징 및 추천 이유

1. 하프 브리지 일체형 — 부품 수 절반 이하 상측·하측 MOSFET이 한 패키지 안에 하프 브리지로 배선되어 있어, 개별 부품 2개를 쓸 때보다 부품 수, PCB 면적, 기생 인덕턴스를 크게 줄입니다. 3상 모터 구동 시 3개만으로 전체 인버터를 구성할 수 있습니다.

2. 동급 최고 수준의 낮은 도통 저항 하측 채널 도통 저항이 10 V 구동 시 0.90 mΩ(대표), 상측도 3.0 mΩ(대표)에 불과합니다. 동일 패키지 크기의 경쟁 제품 대비 매우 낮은 수치로, 전도 손실을 최소화하여 높은 변환 효율을 달성합니다.

3. 하측 쇼트키 다이오드 내장 (SkyFET®) 하측 채널에 쇼트키 다이오드가 내장되어 있어 본체 다이오드의 역회복 시간과 역회복 전하가 크게 줄어듭니다. 고주파 스위칭 시 스위칭 손실과 EMI를 저감하고, 외부 쇼트키 다이오드를 생략할 수 있습니다.

4. 낮은 게이트 전하 — 우수한 FOM 상측 11 nC, 하측 46 nC(4.5 V 기준)의 낮은 총 게이트 전하로, RDS(on) × Qg FOM이 우수합니다. 500 kHz 이상의 높은 스위칭 주파수에서도 드라이버 손실이 적어 효율을 유지합니다.

5. 와이어리스 내부 구조 — 낮은 기생 인덕턴스 PowerPAIR® 패키지는 본딩 와이어 없이 칩이 직접 기판에 연결되는 구조로, 내부 기생 인덕턴스가 극히 낮습니다. 고주파 스위칭 시 전압 스파이크를 줄이고 EMI 특성을 개선합니다.

6. 100% Rg 및 UIS 시험 완료 모든 제품이 공장에서 게이트 저항(Rg) 시험과 비파괴 눈사태 에너지(UIS) 시험을 거쳐 출하되므로, 양산 신뢰성이 높습니다.

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추천 적용 분야

• 동기식 벅 컨버터 (서버·통신 장비 POL 전원)
• CPU·FPGA 코어 전원단
• 무선 충전기 하프 브리지 구동
• 드론·전동 공구·로봇 청소기 BLDC 모터 구동
• 통신 장비·서버용 SMPS
• 산업용 모터 인버터

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유사 제품 비교

모델 VDS 구성 패키지 크기 하측 RDS(on) (10 V) 비고

SiZF906BDT	30 V	듀얼 N채널 하프 브리지	6 × 5 mm	0.90 mΩ	본 제품, 쇼트키 내장
SiZF906DT	30 V	듀얼 N채널 하프 브리지	6 × 5 mm	1.17 mΩ	이전 버전
SiZ240DT	40 V	듀얼 N채널 하프 브리지	3.3 × 3.3 mm	8.41 mΩ	초소형, 저전류용
TI CSD87501Q2	30 V	듀얼 N채널 하프 브리지	3.5 × 5.5 mm	~2.0 mΩ	경쟁사 대안

SIZF906BDT는 B 개선판으로 기존 SIZF906DT 대비 도통 저항이 더 낮아졌으며, 동일 패키지 핀 호환으로 기존 설계를 그대로 활용할 수 있습니다.

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가격

유통사 단가 (소량 기준)

DigiKey	약 $2.26
RS Components	약 $2.14
대량 (6,000개 이상)	약 $0.68 ~ $0.74

하프 브리지 일체형이므로 상·하측 MOSFET을 별도 구매할 때보다 총 비용이 절감되며, PCB 면적·부품 수 감소에 따른 간접 비용 절감 효과도 큽니다.

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정리

SIZF906BDT-T1-GE3은 30 V 듀얼 N채널 하프 브리지 MOSFET으로, 하측 0.90 mΩ 극저 도통 저항, 내장 쇼트키 다이오드, 낮은 게이트 전하, 와이어리스 구조의 낮은 기생 인덕턴스를 핵심 강점으로 합니다. PowerPAIR® 6 × 5F 단일 패키지에 하프 브리지가 완성되어 부품 수와 PCB 면적을 크게 줄일 수 있으며, 서버·통신 장비의 고효율 POL 전원부터 BLDC 모터 구동까지 폭넓게 활용할 수 있는 고성능 전력 MOSFET입니다.

자료표: Vishay SiZF906DT(기본형) 데이터시트 PDF 제품 정보: DigiKey SIZF906BDT-T1-GE3