[MOSFET-2] TPHR6503PL1: 30 V, 0.65 mΩ, 싱글 FET

 

TPHR6503PL1은 Toshiba Electronic Devices & Storage에서 출시한 30 V N채널 전력 MOSFET입니다. 최신 U-MOS Ⅸ-H 트렌치 공정을 적용하여 동급 최고 수준의 극저 도통 저항 0.65 mΩ(최대, 10 V 구동)을 달성했으며, 동시에 출력 전하(Qoss)를 줄여 스위칭 효율까지 크게 개선한 것이 특징입니다. 고효율 DC-DC 컨버터와 SMPS의 하측(동기 정류) 스위치로 특히 적합합니다.

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주요 사양

항목 사양

제조사	Toshiba Electronic Devices & Storage
부품 번호	TPHR6503PL1 (LQ = 테이프 릴 포장)
채널 / 구성	단일 N채널
공정 기술	U-MOS Ⅸ-H (9세대 트렌치)
드레인-소스 전압 (VDS)	30 V
연속 드레인 전류 (TC = 25 °C)	150 A
펄스 드레인 전류	420 A
도통 저항 RDS(on) (VGS = 10 V, 대표/최대)	0.41 mΩ / 0.65 mΩ
도통 저항 RDS(on) (VGS = 4.5 V, 대표/최대)	0.60 mΩ / 0.89 mΩ
총 게이트 전하 Qg (VGS = 10 V, 최대)	110 nC
총 게이트 전하 Qg (대표)	52 nC
입력 커패시턴스 Ciss	10,000 pF (최대) / 7,700 pF (대표)
역전달 커패시턴스 Crss	220 pF (대표)
출력 커패시턴스 Coss	2,720 pF (대표)
게이트 내부 저항 rg	0.6 Ω (대표)
최대 소비 전력 (TC = 25 °C)	210 W
최대 소비 전력 (TA = 25 °C)	960 mW
게이트-소스 전압 (VGS)	±20 V
접합 온도 범위	-55 °C ~ +175 °C
패키지	SOP Advance(N) (5 mm × 5.75 mm, 8핀)
RoHS	준수

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주요 특징 및 추천 이유

1. 동급 최저 도통 저항 — 0.41 mΩ(대표) U-MOS Ⅸ-H 공정의 미세 셀 집적과 최적화된 트렌치 구조 덕분에, 30 V급 표면 실장 단일 MOSFET 중 최고 수준의 낮은 도통 저항을 실현합니다. 대전류 환경에서 전도 손실을 극한까지 줄여 발열과 효율 문제를 동시에 해결합니다.

2. 낮은 Qoss — 고주파 스위칭 효율 개선 U-MOS Ⅸ-H 세대의 핵심 개선점은 출력 전하(Qoss) 저감입니다. RDS(on) × Qoss FOM이 이전 세대(U-MOS Ⅷ-H) 대비 크게 향상되어, 고주파 동기 정류 시 스위칭 손실을 줄이고 전체 변환 효율을 높입니다.

3. 150 A 연속 전류 / 420 A 펄스 전류 케이스 온도 25 °C 기준 150 A 연속, 420 A 펄스 전류를 지원하여, 서버·통신 장비의 고전류 POL 전원이나 병렬 운전에 충분한 여유를 제공합니다.

4. 접합 온도 175 °C 보증 최대 접합 온도 175 °C까지 보증되므로, 고온 환경이나 제한된 방열 조건에서도 안정적으로 동작합니다. 산업용·통신용 장비의 까다로운 열 설계 요구에 대응합니다.

5. SOP Advance(N) 소형 패키지 5 mm × 5.75 mm 크기의 SOP Advance(N) 패키지는 기존 5 × 6 mm 패키지와 호환성을 유지하면서도, 업계 표준 풋프린트에 맞춰 설계 유연성을 높였습니다. 양면 냉각 구조로 열 저항이 낮습니다.

6. 낮은 게이트 내부 저항 (rg = 0.6 Ω) 게이트 내부 저항이 매우 낮아 게이트 드라이버의 구동 능력을 최대한 활용할 수 있으며, 스위칭 속도 향상과 EMI 제어 사이의 균형을 잡기 쉽습니다.

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추천 적용 분야

• 서버·통신 장비 POL 벅 컨버터 (하측 동기 정류 스위치)
• 기지국·데이터센터 SMPS
• AC-DC 2차측 동기 정류
• 산업용 전원 장치
• 고전류 부하단 DC-DC 변환기
• 고효율이 요구되는 스위칭 전압 조정기

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Toshiba 30 V SOP Advance(N) 라인업 비교

모델 공정 RDS(on) 대표 (10 V) RDS(on) 최대 (10 V) Qg 대표 주요 차이

TPHR6503PL1	U-MOS Ⅸ-H	0.41 mΩ	0.65 mΩ	52 nC	최저 RDS(on), 본 제품
TPHR9203PL1	U-MOS Ⅸ-H	0.61 mΩ	0.92 mΩ	38 nC	낮은 Qg, 상측 최적화
TPHR9003NL1	U-MOS Ⅷ-H	0.77 mΩ	0.90 mΩ	32 nC	이전 세대, 낮은 Qg
TPH1R403NL1	U-MOS Ⅷ-H	1.2 mΩ	1.4 mΩ	20 nC	최저 Qg, 상측 스위치용

하측 동기 정류용으로는 RDS(on)이 가장 낮은 TPHR6503PL1이 최적이고, 상측 제어 스위치에는 Qg가 낮은 TPHR9203PL1이나 TPH1R403NL1이 더 적합합니다.

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가격

유통사 단가 (소량 기준)

Arrow	약 $1.56 (63개~)
LCSC	약 $0.80~
대량 (2,500개 이상)	약 $0.84

0.65 mΩ급 극저 도통 저항 MOSFET 치고는 매우 경쟁력 있는 가격대입니다. 경쟁 제품(Infineon OptiMOS5, Vishay TrenchFET Gen IV) 대비 동등하거나 낮은 가격에 성능 우위를 확보할 수 있습니다.

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정리

TPHR6503PL1은 Toshiba U-MOS Ⅸ-H 9세대 트렌치 공정을 적용한 30 V N채널 전력 MOSFET으로, 0.41 mΩ(대표) 동급 최저 도통 저항, 낮은 Qoss를 통한 고주파 스위칭 효율 개선, 150 A 연속 전류, 175 °C 접합 온도 보증이 핵심 강점입니다. SOP Advance(N) 소형 패키지에 탁월한 열 특성을 갖추고 있어, 서버·통신·산업용 고효율 DC-DC 컨버터의 하측 동기 정류 스위치로 최적의 선택입니다.

제품 정보: Toshiba TPHR6503PL1 제품 페이지 구매: DigiKey TPHR6503PL1,LQ